本设备通过垂直涂覆的方式,实现硅片表面的浆料涂覆。通过涂覆工艺配合控制,可实现矩形硅片的表面满涂;高带宽运动控制系统,精确引导模头升降、供料体积,行进速度,实现高一致性的平面薄膜制备;通过设备长度延长,增加硅片装载卡盘的数量,本设备可以实现高通量硅晶叠层钙钛矿涂覆。
涂覆基材范围: 166×166硅片,182×182硅片,182×91硅片,182×210硅片,210×210硅片,210×105硅片。
涂覆湿厚: ≥3um
成膜干厚精度:优于5%(@1000nm)
最大涂覆速度: 100mm/s